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Silicon

Silicon Carbide

Fine Ceramics

Precision matters

World-class competitiveness based on

differentiated technology and industry-leading expertise

Silicon

Silicon Carbide

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Silicon

기술과 미래가 성장하는 하나 머티리얼즈, 실리콘 분야의 고객가치 경영을 추구해나가겠습니다.

실리콘(Silicon)은 원소기호 Si로 표시되는 규소를 의미하며, 암회색 금속성 물질이다. 반도체 공정에서 사용하는 Silicon은 초고순도의 금속 Silicon으로 원자가 3차원적으로 질서 정연하게 배열된 단결정 실리콘이다.

잉곳 성장설비의 핵심부품인 Hot Zone(폴리실리콘 용융로) 설계 및 성장요소 최적화 등 핵심기술을 자체적으로 보유한 당사는 직경 600mm 이상의 ingot을 국내 최초로 개발하였다.

Electrode

Description

실리콘 플레이트의 미세 구멍을 통해 흐르는 가스를 RF Power를 인가하여 플라즈마 상태로 만들어 웨이퍼 식각.

Applications

Dry etcher process

Specification

Properties

Value

Material

Single Crystal Silicon

Out diameter

550mm ~ 240mm

Resistivity(Ω.㎝)

Low Res. (< 0.02)
Middle Res. (1~4)
High Res. (60~90)

RRG < 5%

< 5%

Gas hole

Diameter 0.8~0.2mm
Roundness < 0.02mm
Concentricity < 0.02mm
Δ XY-Position < 0.05mm

Surface condition

Polishing, Lapping, Grinding

Surface Flatness

< 10 ㎛

Machining precision

< 10 ㎛

Quality

Chipping, Scratch, Crack free
Contamination, Stain free

Ring

Description

The silicon ring mounted around wafer on ESC serves to maintain a uniform plasma density and etching rate

Applications

Dry etcher process
Focus Ring
Insert Ring
Collar Ring
Shield Ring
Hot Edge Ring
Protection Ring
Etc

Specification

Properties

Value

Material

Single Crystal Silicon
Multi Crystal Silicon

Out diameter

580mm ~ 240mm

Resistivity(Ω.㎝)

Low Res. (< 0.02)
Middle Res. (1~4)
High Res. (60~90)

RRG < 5%

< 5%

Surface condition

Polishing, Lapping, Grinding

Surface Flatness

< 10 ㎛

Machining precision

< 15 ㎛

Quality

Chipping, Scratch, Crack free
Contamination, Stain free

Silicon Ingot

Applications

Single Crystal Ingot

Silicon electrode
Silicon ring
Silicon parts

Multi-Crystalline “Poly” Ingot

Silicon ring
Silicon parts

Specification

Properties

Single Crystal Ingot

Multi-Crystalline “Poly” Ingot

Purity (%)

> 8N

> 6N

Diameter / Size (mm)

300~600

980*980*280

Type/Doped

P,N/Boron,Phosphorus

P/Boron

Resistivity (Ω.cm)

Low Res. (< 0.02)
Middle Res. (1~4)
High Res. (60~90)

Middle Res. (1~4)

RRG (%)

< 5

< 8

Oxygen concentration (ppma)

≤ 13

≤ 20

Carbon concentration (ppma)

≤ 0.5

≤ 1

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