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[Si 및 SiC 공정 기술직/생산직 모집]

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Precision matters

World-class competitiveness based on

differentiated technology and industry-leading expertise

SiC

Silicon Carbide

기술과 미래가 성장하는 하나 머티리얼즈, 실리콘 카바이드 분야의 고객가치 경영을 추구해나가겠습니다.

SiC (Silicon Carbide)는 탄화규소라 하며 Si와 C가 강한 공유결합을 이루고 있으므로 경도 및 강도가 우수하고, 고온에 잘 견디며, 부식이 되지 않는 물성이 우수한 물질이다. 이러한 우수한 물성으로 인하여 고온이며 청결한 분위기를 요구하는 반도체, LED, 태양광 및 우주항공, 에너지, 핵융합 부산물처리 등 다양한 산업분야에 널리 응용되고 있다.

당사는 CVD (Chemical Vapor Deposition) SiC 코팅 제품 생산 및 특화된 CVD 공법으로 SiC Bulk 제품을 생산하고 있다.

SiC Coating

Description

Substrate : graphite
High thermal purification
CVD coating

Applications

LED MOCVD Susceptor - 2, 4, 6” available
H/Z parts for CZ growing

Specification

Properties

Value

Purity (%)

≥ 99.9999

Density (g/cm3)

3.20

shore hardness

52

Thermal Expansion coefficient (10-6/K)

4.5/p>

Thermal Conductivity (W/mK)

214

Coating Thickness (um)

20-250 ± 10%

CVD-SiC Bulk

Description

CVD bulk selective
High corrosion resistance
Resistivity control

Applications

Dry etcher for semiconductor process

Specification

Properties

Value

Density (g/cm³)

3.21

Flexural strength (MPa)

420

Vickers hardness (Hv)

3,100

Thermal conductivity (W/mK)

320

Resistivity (Ω-cm)

0.2~10, >500, <0.02

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